變?nèi)荻O管，亦稱 Varactor 電容，是一種特殊的半導體器件，其電容值可根據(jù)外加電壓的變化而改變。它利用 pN 結(jié)反偏時結(jié)電容隨外加電壓變化的特性制成，當反偏電壓升高時結(jié)電容減小，反之則增大。變?nèi)荻O管的電容量通常較小，最大值一般在幾十皮法到幾百皮法之間，最大電容與最小電容之比約為 5:1。因其獨特的電容可變特性，變?nèi)荻O管主要應(yīng)用于高頻電路中的自動調(diào)諧、調(diào)頻、調(diào)相等領(lǐng)域。
工作原理
變?nèi)荻O管本質(zhì)上是一個反偏壓的二極管，其結(jié)電容相當于耗盡層的電容。可近似將耗盡層視為平行板電容器，兩導電板間夾有介質(zhì)。結(jié)電容 C1 與耗盡層寬度 d 成反比，即 C1∝1/d。而 d 與反向偏壓 VR 的 n 次方成正比（n 是與摻雜濃度相關(guān)的常數(shù)），故 C1∝1/VRn。這意味著反向偏壓越高，耗盡區(qū)越寬，結(jié)電容就越小，反之亦然。例如，當 VR1＞VR2 時，d2＞d1，Cj2＜Cj1。
變?nèi)荻O管的簡化等效電路及電路符號分別如圖（b）、（c）所示。其中，用一只可變電容表示結(jié)電容，R2 則是半導體材料的電阻。
變?nèi)荻O管屬于反偏壓二極管，通過改變其 PN 結(jié)上的反向偏壓，可以調(diào)節(jié) PN 結(jié)的電容量。需要注意的是，反向偏壓與結(jié)電容之間的關(guān)系是非線性的。
封裝形式
變?nèi)荻O管具有多種封裝形式，包括玻璃外殼封裝（玻封）、塑料封裝（塑封）、金屬外殼封裝（金封）以及無引線表面封裝等。通常情況下，中小功率的變?nèi)荻O管多采用玻封、塑封或表面封裝，而大功率的變?nèi)荻O管則更多地選用金封。
作用特點
變?nèi)荻O管是一種利用 PN 結(jié)間電容可變原理制成的半導體器件，能夠在高頻調(diào)諧、通信等電路中作為可變電容器使用。通過改變其 PN 結(jié)上的反向偏壓，即可實現(xiàn)對 PN 結(jié)電容量的調(diào)節(jié)。反向偏壓越高，結(jié)電容越小，但兩者之間的關(guān)系并非線性。下圖為變?nèi)荻O管的電容值與反向偏壓值的關(guān)系圖解，其中（a）表示反向偏壓增加，電容減少；（b）表示反向偏壓減少，電容增加。
變?nèi)荻O管的電容誤差范圍是規(guī)定的電容量范圍，數(shù)據(jù)表中會顯示最小值、標稱值及最大值，這些數(shù)值通常也會繪制在圖上，以便用戶參考。
正負極判斷
在外觀方面，變?nèi)荻O管通常有明顯的標記來區(qū)分正負極，例如紅色圓形標記表示陽極（正極），黑色部分則表示陰極（負極）。如果器件上沒有明確的標記，可以依據(jù)型號規(guī)格手冊來查看其引腳功能。
當需要測量變?nèi)荻O管的正負極時，可以選擇 500 型萬用表的 R×1k 檔。首先將紅表筆接一端，黑表筆接另一端，若測得電阻值為 6.5kΩ，同時記下表針倒數(shù)偏轉(zhuǎn)格數(shù) n′≈19.7 格。接著交換管腳位置重新測量，若電阻值變?yōu)闊o窮大，則可判定第一次測量為正向接法，正向電阻為 6.5kΩ，正向?qū)妷?VF=0.03V/格×9.7 格=0.59V。第二次測量則為反向接法。這表明該管子具有單向?qū)щ娦裕铱拷t色環(huán)的管腳為正極。若要測量變?nèi)荻O管的結(jié)電容，可選用 100pF 量程的線性電容表。
變?nèi)荻O管以其獨特的電容可變特性，在高頻電路領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用，其正確的選型與應(yīng)用對于電路性能的優(yōu)化至關(guān)重要。
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