国产69精品久久久久9999apgf-天天爱天天舔-色老大影院-成人综合区另类小说区-中国精品久久久-91在线视频观看-四虎永久在线精品免费观看-日本黄色三级视频-www.四虎com-国产盗摄精品一区二区酒店-女人被做到高潮视频-黄色三级情侣片-黄色毛片大全-国产视频1区2区3区-免费在线观看日韩av

您好!歡迎光臨烜芯微科技品牌官網!

深圳市烜芯微科技有限公司

ShenZhen XuanXinWei Technoligy Co.,Ltd
二極管、三極管、MOS管、橋堆

全國服務熱線:18923864027

  • 熱門關鍵詞:
  • 橋堆
  • 場效應管
  • 三極管
  • 二極管
  • MOS管電容-MOS管的高頻小信號電容詳情
    • 發布時間:2019-08-06 13:52:12
    • 來源:
    • 閱讀次數:
    MOS管的高頻小信號電容
    從MOS管的幾何構造及工作原理能夠發現,MOS管存在著多種電容,這會影響MOS管的高頻性能。
    依據MOS管的幾何構造構成的各類電容如圖1.5所示,詳細為:
    MOS管
    (1)柵與溝道之間的柵氧電容C2=WLCox,其MOS管中Cox為單位面積柵氧電容ε0x/tox。
    (2)溝道耗盡層電容C3=W):其中q為電子電荷,εsi硅的介電常數,Nsub為襯底濃度,φF為費米能級。
    (3)交疊電容(多晶柵掩蓋源/漏區所構成的電容),每單位寬度的交堯電容記為Col,由于是環狀的電場線,Col不能簡單計算得到,且它的值與襯底偏置有關。交疊電容主要有柵/源交疊電容Cl= WCol與柵/漏交疊電容C4= WCol。
    (4)源/漏區與襯底間的結電容:Cbd, Cbs,即為漏極、源極與襯底之間構成的PN結勢壘電容,這種電容普通由兩局部組成:一局部是垂直方向(即源/漏區的底部與襯底間)的底層電容,以單位面積PN結電容Cj權衡;另—局部是源/漏區的周圍與襯底間構成的橫向圓周電容,以單位長度結電容Cjs來衡最。單位面積PN結的勢壘電容Cj可表示為:
    Cj=Cjo/[1+VR/φB]m
    式(1.1)中Cjo為PN在零偏電壓時單位底面積結電容(與襯底濃度有關),VR是加于PN結的反偏電壓,φB是漏/源區與襯底問的PN結接觸勢壘差(普通取0.8V),而m是底面電容的梯度因子,普通取介于0.3~0.4間的值。
    因而,MOS管源/漏區與襯底間總的結電容可表示為:
    CBD.BS=WHCj+2(W+H)Cjs
    式(1.2)中H是指源、漏區的長度,W是MOS管的寬度。
    由式(1.2)可發現:不同MOS管的源/漏區的幾何外形,即不同的源/漏區面積和圓周尺寸值,存在著不同的結電容。在總的寬長比相同的狀況下,采用并聯合構,即MOS管的H不變,而每一個MOS管的寬為原來的幾分之一,則MOS管的源/漏區與襯底間總的結電容比原構造小。
    例1.2 分別求出以下三種條件下MOS管源/漏區與襯底間總的結電容(假定任何,個MOS管的源/漏區的長度都為H):
    ①(W/L)=100的一個MOS管;
    ②(W/L)1,2=50兩個MOS管并聯;
    ③(WIL)1~5=20的5個MOS管并聯。
    解:為了計算便當,假定一切MOS管的溝道長度L=0.5μm,H=lμm則有
    ①CBD,BS:WHCj+2(W+H)Cjs=200Cj+402Cjs
    所以總的源/漏區與襯底問的結電容為Cbd+Cbs=400Cj+804Cjs
    ②Cbdl, 2=Cbs1=Cbs2=100Cj+202Cjs
    所以總的源/漏區與襯底間的結電容為Cbd1十Cbs1+Cbd2=300Cj+606Cjs
    ③Cbd1,2=Cbd3,4=Cbd5=Cbs1=Cbs2,3=Cbs4, 5=40Cj+82Cjs
    所以總的源/漏區與襯底間的結電容為
    Cbdl,2+Cbd3, 4+Cbsl+Cbs2, 3+Cbs4,5+Cbd5=240Cj+492Cjs
    2.MOS管的極間電容及其隨柵/源電壓的變化關系
    由于在模仿集成電路中,MOS管普通以四端器件出現,因而在實踐電路設計中主要思索MOS管每兩個端口之間存在的電容,如圖1.6所示,源/漏兩極之間的電容很小可疏忽不計,這些電容的值就是由前面剖析的各種電容組合而成,由丁在不同的工作區時MOS管的反型層厚度、耗盡層厚度等不同,則相應的電容也不相同,所以關于MOS管的極問電容能夠分為三個工作辨別別停止討論。
    MOS管
    (1)截止區
    漏/源之間沒有構成溝道,此時固然不存在反型層,但可能產生了耗盡層,則有柵/源之間、柵/漏之間的電容為:CGD=CGS= WCol;
    柵極與襯底間的電容為:CGB=(WLCox)Cd/(WLCox+Cd),即柵氧電容與耗盡層電容Cd的串聯,其中乙為溝道的有效長度,且MOS管
    CSB與CDB的值分別是源極、漏極與襯底間電壓的函數,能夠由式(1.2)求解出。
    (2)飽和區
    在此工作區,MOS管的溝道在漏端曾經發作夾斷,所以柵/漏電容CGD大約為WCol;同時MOS管的有效溝道長度縮短,柵與溝道間的電位差從源區的VGS降落到夾斷點的VGS-Vth導致了在柵氧下的溝道內的垂直電場的不分歧,能夠證明此時MOS管的柵+源間電容除了過覆蓋電容之外的電容值可表示為(2/3)N1Cox。因而
    CGS=2WLCox/3+WCol    (1.3)
    (3)深線性區
    在此工作區,漏極D與源極s的電位簡直相同,柵電壓變化AV時,惹起等量的電荷從 源極流向漏極,所以柵氧電容(柵與溝道間的電容)WLCox、F均分為柵/源端之間與柵/漏端之間的電容,此時柵/源電容與柵/漏電容可表示為
    CGD=CGS=WLCox/2+WCol
    當工作在線性區與飽和區時,柵與襯底間的電容常被疏忽,這是由于反型層在柵與襯底間起著屏蔽作用,也就是說假如柵壓發作了改動,導電電荷的提供主要由源極提供而流向漏極,而不是由襯底提供導電荷。
    CGD與CGS在不同工作區域的值如圖1.7所示,留意在不同的區域之間的轉變不能簡單計算得到,只是依據趨向停止延伸而得。
    MOS管
    烜芯微專業制造二三極管,MOS管,20年,工廠直銷省20%,1500家電路電器生產企業選用,專業的工程師幫您穩定好每一批產品,如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以點擊右邊的工程師,或者點擊銷售經理給您精準的報價以及產品介紹
    相關閱讀
    主站蜘蛛池模板: 在线观看午夜视频| 男男引诱外卖员啪啪的| 福利网站导航| heyzo在线播放| 亚洲综合视频在线| www.欧美| 野人艳史hd无删减版| 欧美透逼视频| 天天爱天天做| 三级一区二区| 日批视频免费在线观看| 日韩三级视频| 制服丝袜一区在线| 风骚少妇电影| 亚洲色图日韩精品| 污污网站免费在线观看| 美女作爱视频| 久久综合激的五月天| 夫妻午夜电影| 99在线免费| 就操成人网| 国产视频h| 国产精品sm调教免费专区 | 日韩国产欧美在线视频| 欧美成人手机视频| 全国男人的天堂网| 蜜臀精品久久| 黄av在线播放| 婷婷综合av| 51免费看片| 美女av影视| 亚洲视频手机在线观看| 黄色大片日本| 日韩一级欧美一级| 国产不卡视频在线播放| 成人午夜剧场视频网站| wwwav视频| 91蜜桃在线观看| 国产裸体舞一区二区三区| 女人抠逼视频| 精品久久中文| 日韩在线观看网站| 日本日韩欧美| 色哟哟网页| 桃花色综合影院| 天天天天天天干| 在线视频在线观看| 日韩女同强女同hd| 一区二区麻豆| 成人中文字幕在线观看| 3d动漫精品啪啪一区二应用| 鲁鲁鲁鲁狠鲁一鲁爽爽爽| 国产精品丝袜黑色高跟鞋的设计特点| 亚洲天堂第一页| www黄色免费| 青青色在线视频| 久草这里只有精品| 成人免费毛片播放| 欧美激情天堂| 日韩av在线天堂| 黄色在线视频网站| 美女吊逼| 色偷偷偷偷| 色大师av| 男性吹潮教程chainese视频| 国产一级片毛片| 日韩精选| 中文字幕观看| 涩涩网站在线| 甜性涩爱韩国| 天天操夜夜爱| a级片视频网站| 久久午夜神器| 看黄色的网站| 国产日韩一区在线| 日本动漫伦の伦动漫在线观看| 日本三级视频在线| 有码一区二区| 自拍偷拍21p| 成人美女免费网站视频| 女生被草| 欧美国产一区二区在线观看| www.夜夜撸.com| 羞羞动态图| 亚洲人xxxxx| 五月婷影院| 亚洲色图激情| 欧美另类videosgrstv| a级片中文字幕| 国产乱码一区二区| 日韩人妻一区二区三区| 人妻少妇精品久久| 一级片视频播放| 韩剧表妹| 成人免费激情网| 中文字幕777| 麻豆短视频| 欧美激情电影一区二区| 黑人巨大精品|